Оборудование

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Модульная структура позволяет проводить исследования образцов в жидкостях. Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме. Возможна работа в режиме АСМ и СТМ. Наличие вакуумной системы (давление до 10⁻² Торр ) позволяет проводить более аккуратный анализ сил взаимодействия между зондом и образцом. Исследование и модификация электрических (проводимость, емкостная микроскопия) и магнитных свойств объектов.

Анализ химического строения твердых и жидких тел, механических напряжений в полупроводниках, характеризация углеродных нанотрубок. Применяется в полупроводниковой, химической, фармацевтической отраслях промышленности, при исследовании полимеров.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Анализ микро- и наноструктуры твердотельных объектов, измерение линейных размеров деталей структуры, наблюдаемых на изображении, и межплоскостных  расстояний  в режиме дифракции.

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U с чувствительностью порядка 0,1 %

Исследование кристаллической структуры твердотельных материалов, определение качественного и количественного фазового состава  и структуры твердых тел, параметров элементарной ячейки, микронапряжений в кристаллах. Рентгеноструктурный анализ кристаллических порошков. Возможность работы в режиме рефлектометра.

Высокоточная система дисковой резки ADP1 предназначена для механической обработки пластин таких как: скрайбирование (неполный разрез пластины без разделения) и разрез пластины до полного разделения на части. Управление режимами резки микропроцессорное.

Установка предназначена для осуществления операций химической очистки пластин и удаления резистов.

Передача размера единицы длины в диапазоне 10-9 ÷ 10-4 м и калибровка (поверка) оптических ближнего поля, растровых электронных, сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов и других средств измерений малой длины.

Установка предназначена для  проведения процессов шариковой микросварки, формирования контактных выступов, точечной сварки и формовки шариков, формирования шарика электрическим разрядом, термокомпрессионной контактной микросварки.

Установка атомарно-слоевого осаждения тонких пленок СdS, TiN, HfO2, Ta2O5, TiO2, ZnO,  и др. толщиной от 2 нм  с точностью роста до одного монослоя и с  высокой  конформностью наносимых слоев.

Градуировка, поверка и калибровка просвечивающих электронных  микроскопов (ПЭМ), исследования и контроля метрологических характеристик ПЭМ при проведении их испытаний в целях утверждения типа.

Возможность нанесения тонких пленок металлов и диэлектриков (толщина от 10 нм до 1 мкм).

Микроскоп оптический поляризационный. Позволяет работать в проходящем и отраженном свете. Разрешение до 0,4 мкм. Имеется метод интерференционного контраста.

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии.

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии.

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии.

Измерение микрорельефа  поверхности отражающих объектов, толщины тонких пленок, параметров шероховатости. Применяется в материаловедении, микроэлектронике.

Фигурная резка (травление фокусированным ионным пучком) поверхности объекта для формирования объемных структур произвольной формы и уровня сложности с разрешением до 70 нм. Энергия ионов варьируется от 100 эВ до 30 кэВ.

Измерение линейных размеров нанообъектов, элементного состава поверхности и спектров катодолюминесценции.

Предназначен для исследования геометрических параметров и физико-химических свойств микро и нанообъектов на поверхности различных образцов (включая полупроводниковые пластины диаметром до 100 мм) методами сканирующей зондовой микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума.

Для измерения линейных перемещений при поверке и калибровке высокоточных средств измерений линейных перемещений и систем прецизионного позиционирования и сканирования, емкостных и индуктивных измерительных преобразователей, тензодатчиков, лазерных измерителей наноперемещений, первичных преобразователей акустико-эмиссионных систем неразрушающего контроля.

Качественный и количественный анализ химического состава твердых и жидких тел, их идентификация, контроль концентрации О и С  в Si пластинах, контроль качества лекарственных форм и сырья, криминалистический и биоклинический анализ.