Установка атомарно-слоевого осаждения тонких пленок СdS, TiN, HfO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, и др. толщиной от 2 нм с точностью роста до одного монослоя и с высокой конформностью наносимых слоев.
Нажимая на кнопку «Отправить заявку», вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных
Нажимая на кнопку «Отправить заявку», вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных
Нажимая на кнопку «Отправить заявку», вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных