Микроскоп электронныйрастровый S-4800

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ
Производитель:
Hitachi, Япония

Я согласен с условиями обработки персональных данных

Наверх