Министерство промышленности и торговли Российской Федерации.

 

 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума

 

 

 

 

Общая информация

Аккредитация

Продукция

ЦКП НИЦПВ

Техничес­кие комитеты по стандартизации

Федеральные целевые программы

Национальные и межгосударственные стандарты

Закупки

Экологическая ответственность

Новости

Сотрудники

Публикации

Контакты

Прейскурант

 

 

Центр коллективного пользования НИЦПВ

 

 

НАУЧНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ЦКП НИЦПВ

 

 

Наименование оборудования

 

Краткое описание, спецификация

1

Сканирующий зондовый микроскоп Solver P47H

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

2

Сканирующая зондовая лаборатория Ntegra Aura

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Модульная структура позволяет проводить исследования образцов в жидкостях. Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме. Возможна работа в режиме АСМ и СТМ. Наличие вакуумной системы (давление до 10-2 Торр ) позволяет проводить более аккуратный анализ сил взаимодействия между зондом и образцом. Исследование и модификация электрических (проводимость, емкостная микроскопия) и магнитных свойств объектов.

Возможность реализации сложных многопроходных методик и собственных алгоритмов обработки данных.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

3

Микроскоп электронный растровый S-4800

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

1. Разрешение:

- при ускоряющем напряжении 15кВ                                           1нм;

- при ускоряющем напряжении 1кВ                                             1,5 нм

2.Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ не более 10 нм.

3.Диапазон регулировки увеличения                                           30¸800000 крат.

4.Диапазон измерения линейных размеров                                0,02¸10000 мкм

5. Погрешность измерений линейных размеров не более         5 %.

6. Диапазон регулировки ускоряющего напряжения                  0,1¸30 кВ.

 Производитель: фирма Hitachi, Япония.

4

Рентгеновский дифрактометр модели D8 DISCOVER

Исследование кристаллической структуры твердотельных материалов,

Определение качественного и количественного фазового состава  и структуры твердых тел, параметров элементарной ячейки, микронапряжений в кристаллах. Рентгеноструктурный анализ кристаллических порошков. Возможность работы в режиме рефлектометра.

Сходимость результатов измерений угла – 0,00050.

Диапазон углового перемещения  блока детектирования -1100 ≤1690.

Производитель: фирма BRUKER (Германия).

5

Растровый электронный микроскоп JSM-6460LV с приставкой рентгенов-ского микроанализа INCAx-sight, приставкой регистрации спектров микро-катодолюминес-ценции MonoCL3 и приставкой регистрации дифракции обратно-рассеянных электронов

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U с чувствительностью порядка 0,1 %, исследование спектров микрокатодолюминесцнции  в диапазоне 300-900 нм с пространственным разрешением порядка 1 мкм в диапазоне температур 78 -300 К. Исследование дифракции обратно-рассеянных электронов для определения кристаллической структуры изучаемых объектов с локальностью несколько микрометров.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения           1¸30 кВ.

Разрешение при ускоряющем напряжении 30кВ             3нм;

Диапазон регулировки увеличения                                   12¸300000 крат.

Производитель: фирма JEOL, Япония.

6

Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) JEM-2100

Анализ микро- и наноструктуры твердотельных объектов, измерение линейных размеров деталей структуры, наблюдаемых на изображении, и межплоскостных  расстояний  в режиме дифракции.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике, геологии, биологии, металлургии и других отраслях науки и техники.

1. Разрешающая способность микроскопа:

- по точкам, нм                                                                            0,23

- по линиям, нм                                                                            0,14

2. Диапазон регулировки увеличения, крат                                 50¸1500000

3. Диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ            80¸200

4. Диапазон измерений линейных размеров, мкм                      0,003-50

5. Погрешность измерений линейных размеров не более, %     6

Производитель: фирма JEOL, Япония.

7

Электронно-ионный микроскоп JIB-4500 c микроманипулятором IB-32010FPUS

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ. Прибор объединяет в себе растровый электронный микроскоп и растровый ионный микроскоп и оснащен системой локального нанесения С и W из газовой фазы. Электронная  пушка - на основе LaB6 эмиттера,  ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника.

Параметры электронно-оптической системы:

- разрешение (30кВ, рабочий отрезок 6 мм), нм                                  2,5 нм

- диапазон увеличений, крат                                                                  8-300000

- диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ                      0,3-30

Параметры ионно-оптической системы:

- разрешение (30кВ), нм                                                                          5 нм

- диапазон увеличений, крат                                                                  100-300000

- диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ                      0,3-30

Производитель: фирма JEOL, Япония.

8

Рамановский спектрометр высокого разрешения

MICRO-S-RAMAN

Анализ химического строения твердых и жидких тел, механических напряжений в полупроводниках, характеризация углеродных нанотрубок. Применяется в полупроводниковой, химической, фармацевтической отраслях промышленности, при исследовании полимеров.

1. Источник оптического возбуждения He-Ne лазер (35мВт)

2. Спектрограф SpectraPro 2750 (750мм фокальная длина)

3. ССD детектор охлаждаемый до -750С  (2048х512)

4. Система ввода излучения оптоволоконная

5. Оптический микроскоп OLYMPUS BX51

Производитель: фирма Spectroscopy & Imaging, Германия.

9

Инфракрасный Фурье-спектрометр

TENSOR 37

c ИК-микроскопом HYPERION

Качественный и количественный анализ химического состава твердых и жидких тел, их идентификация, контроль концентрации О и С  в Si пластинах, контроль качества лекарственных форм и сырья, криминалистический и биоклинический анализ. Использование ИК-микроскопа HYPERION  позволяет довести локальность анализа до 10 мкм. Дополнительные возможности: анализ методом нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО).

1.Спектральный диапазон, см-1                             370-7500

2. Спектральное разрешение, см-1                          0,6

3. Погрешность измерений не более, см-1             0,01

Производитель: фирма BRUKER, Германия.

10

Система лазерная измерительная ЛИС-01М

Система предназначена для поверки и калибровки высокоточных средств измерений линейных перемещений и систем прецизионного позиционирования и сканирования, емкостных и индуктивных измерительных преобразователей, тензодатчиков, лазерных измерителей наноперемещений, первичных преобразователей акустико-эмиссионных систем неразрушающего контроля.

Область применения: органы метрологической службы, испытательные и научно-производственные лаборатории.

Диапазон измерений линейных перемещений 10-9…10-3  м

Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерений линейных перемещений

- в диапазоне (10-9-10-6)  ±0,5·10-9  м

- в диапазоне (10-6-10-3)  ±3·10-9 м

Производитель ОАО «НИЦПВ», Россия

11

Автоматизированный интерференционный микропрофилометр (АИМ)

Измерение микрорельефа  поверхности отражающих объектов, толщины тонких пленок, параметров шероховатости.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике.

- диапазон измерения глубины микрорельефа-100нм-20мкм,

- погрешность измерения глубины -5 нм,

- погрешность в плоскости изображения -0.4 мкм,

- диапазон перемещения автоматизированного координатного стола-40*40 мм2,

- минимальный шаг сканирования 5 мкм,

- увеличение микроскопа 33 крат, числовая апертура объектива -0.65, длина волны источника освещения- 650 нм.

Производитель ФГУП ВНИИОФИ, Россия

12

Сверхвысоковакуумный нанотехнический  СЗМ-комплекс Nanofab-100

Предназначен для исследования геометрических параметров и физико-химических свойств микро и нанообъектов на поверхности различных образцов (включая полупроводниковые пластины диаметром до 100 мм) методами сканирующей зондовой микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Определяющая область применения - микро- и наноэлектроника (в том числе и в производственных условиях).

- Давление остаточной атмосферы в СЗМ камере- 5*10-8 Па, объем СЗМ-камеры -21 л,

- возможность работы в АСМ и СТМ режимах, замена иглы сканирования без напуска атмосферы,

- автоматическое позиционирование образцов в диапазоне 100*100 мм:

- размер образцов – не более 100*15 мм,

- диапазоны сканирования иглы – 3*3*2.6 мкм и 80*80*10 мкм,

- разрешение в плоскости ХУ –не более 0,15 нм, в плоскости  Z -0,1 нм,

- возможность отжига образцов в вакууме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

13

Растровый электронный микроскоп FEI Quanta 200

Измерение линейных размеров нанообъектов, элементного состава поверхности и спектров катодолюминесценции.

Возможность измерения в высоком (10-5 Торр) и низком (до 1 Торр, для измерения диэлектрических образцов) вакууме.

Регистрация истинно-вторичных и упруго-отраженных электронов.

Диапазон ускоряющих напряжений 100 В – 30 кВ.

Эффективный диаметр электронного зонда, согласно ГОСТ Р 8.636-2007: 30 нм

Приставка для изучения катодолюминесценции (Gatan) в диапазоне длин волн от 300 нм до 1000 нм при температуре образца от 80 К.

Приставка для рентгеновского микроанализа (EDAX): энергодисперсионный и волновой спектрометры.

Приставка для исследования дифракции обратно-рассеянных электронов.

Производитель: FEI Company, США

14

Электронный микроскоп с приставкой электронной литографии, системой фокусированного ионного пучка и газовой химии Quanta 200 3D

Фигурная резка (травление фокусированным ионным пучком) поверхности объекта для формирования объемных структур произвольной формы и уровня сложности с разрешением до 70 нм. Энергия ионов варьируется от 100 эВ до 30 кэВ. Возможность формирования глубоких отверстий с аспектным отношением 1/10. Наличие электронного пучка позволяет проводить травление диэлектрических поверхностей.

Эффективный диаметр электронного зонда, согласно ГОСТ Р 8.636-2007: 30 нм

Система электронной литографии компании Raith (разрешение до 70 нм).

Возможность получения изображения поверхности объекта методами вторичной ионной и электронной микроскопии с разрешением не хуже 10 нм.

Наличие 4 систем локального напуска газа. 2 из систем используются для селективного травления, а 2 – для нанесения проводящих покрытий (вольфрам и платина) по заданному рисунку.

Производитель: FEI Company, США

15

Сканирующий зондовый микроскоп Solver P47

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

16

Cканирующая зондовая лаборатория Ntegra Prima

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Модульная структура позволяет проводить исследования образцов в жидкостях, в контролируемой газовой среде и при температурах до 150о С. Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме. Измерение упругих свойств объектов на наномасштабе, исследование слоистых структур. Исследование и модификация электрических (проводимость, емкостная микроскопия) и магнитных свойств объектов.

Возможность реализации сложных многопроходных методик и собственных алгоритмов обработки данных.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

17

Сканирующая зондовая лаборатория Ntegra Aura c в комплекте с Ntegra Therma

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме. Возможна работа в режиме АСМ и СТМ. Наличие вакуумной системы (давление до 10-2 Торр ) позволяет проводить более аккуратный анализ сил взаимодействия между зондом и образцом.

Применение специализированной измерительной головки Ntegra Therma позволяет снизить величины температурного дрейфа до 1 нм/час. Это позволяет реализовывать методики локального модифицирования поверхности с высоким пространственным разрешением, а также манипулирования нанообъектами.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

18

Оптический микроскоп Leika-DM2500

Микроскоп оптический поляризационный. Позволяет работать в проходящем и отраженном свете. Разрешение до 0,4 мкм. Имеется метод интерференционного контраста.

Производитель: Leica Microsystems, США

19

Вакуумная напылительная установка AUT0 500 BOC Edwards

Возможность нанесения тонких пленок металлов и диэлектриков (толщина от 10 нм до 1 мкм).

Магнетрон постоянного тока и радиочастотный (распыление в инертной или окислительной атмосфере), испарение электронным пучком (до 4 тиглей в загрузке), подогрев подложек.

Измерение толщины наносимых пленок методом кварцевого микробаланса.

Производитель: BOC Edwards, Англия

20

Установка атомарно –слоевого осаждения  Picosun Sunale R-150

Установка атомарно-слоевого осаждения тонких пленок СdS, TiN, HfO2, Ta2O5, TiO2, ZnO,  и др. толщиной от 2 нм  с точностью роста до одного монослоя и с  высокой  конформностью наносимых слоев

Производитель: Picosun, США

21

Установка разварки выводов 4524AD Package

Установка предназначена для  проведения процессов шариковой микросварки, формирования контактных выступов, точечной сварки и формовки шариков, формирования шарика электрическим разрядом, термокомпрессионной контактной микросварки. Установка укомплектована программируемым джойстиком с интегрированным переключателем движения по оси "Z" для программирования технологических параметров и управления; системой определения отсутствия шарика; ультразвуковым генератором с АПФЧ;  высокодобротным преобразователем; цифровым регулятор температуры; микроскопом Nikon MZ660, световым  указателем; регулируемым по высоте предметным столиком с подогревом для подложек и плоских корпусов.

Основные характеристики установки:

Размер обрабатываемых подложек до 152 х 152 мм

Нагрев рабочего столика до 350°С с точностью ±0,5ºС

Нагрев рабочего инструмента до 250°С не хуже ±0,5ºС

Автоматический режим, полуавтоматический режим и режим ручного перемещения инструмента по вертикальной оси

Производитель: Kulicke & Soffa, США

22

Установка OPTIwet ST30

Установка предназначена для осуществления операций химической очистки пластин и удаления резистов. Система состоит из корпуса с встроенной камерой из полипропилена и  автоматически закрывающимися дверями, роботизированной  руки с программируемым алгоритмом движения, систем подачи рабочих жидкостей с управляемыми расходами, микропроцессорного модуля с сенсорным экраном и сетевым интерфейсом.

Основные характеристики установки:

1. Размер обрабатываемых пластин: до Ø 300 мм

2. Скорость вращения: от 1 до 4 000 об./мин (с шагом 1 обр/мин)

3. Ускорение от 1 до 3 000 (об./мин)/сек (с шагом 1 (об./мин)/сек)

4. Piranha чистящий комплект ( позволяет осуществлять очистку химически агрессивными жидкостями под высоким давлением)

5. Система высокого давления для растворителей

6. Система высокого давления для деионизованной воды

Производитель: SSE Company, Германия

23

Установка нанесения резиста OPTIcoat SST 20+

Установка предназначена для нанесения резиста на пластину методом центрифугирования. Система состоит из напольного корпуса укомплектованного центрифугой с крышкой и автоматическим устройством подъема пластины, автоматизированной руки с системой нанесения шприцем, микропроцессорного контролера управляющего режимами нанесения,  вакуумного присоса пластины и системы слива в герметичный контейнер.

Основные характеристики установки:

1. Размер образцов: Ø 200 мм

2. Скорость: от 1 до 10 000 об/мин с шагом 1 об/мин;

3. Ускорение: от 1 до 50 000 (об/мин)/сек с шагом 1 (обр/мин)/сек

Производитель: SSE Company, Германия

24

Установка резки пластин ADP1

Высокоточная система дисковой резки ADP1 предназначена для механической обработки пластин таких как: скрайбирование (неполный разрез пластины без разделения) и разрез пластины до полного разделения на части. Управление режимами резки микропроцессорное.

Основные характеристики установки:

1. Скорость вращения 100-3000 об/мин

2. Подача 0,1-2 мм/сек

3. Точность позиционирования 5 мкм

Производитель: Disko, Япония

25

Мера ширины и периода специальные МШПС-2.0К

Передача размера единицы длины в диапазоне 10-9 ÷ 10-4 м и калибровка (поверка) оптических ближнего поля, растровых электронных, сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов и других средств измерений малой длины.

Применяется в микро-, опто-, наноэлектронике, нанотехнологии, микромеханике, фармацевтике и микробиологии, производстве полимеров и генная инженерия, создании наноструктурных материалов, оснащении органов государственных и метрологических служб.

Основные характеристики установки:

1. Номинальное значение шага шаговой структуры меры (t): 2,00 мкм.

2. Допустимое отклонение от номинального значения шага шаговой структуры, не более: ± 0,05 мкм.

3. Диапазон значений ширины верхнего основания  выступов в шаговых структурах меры (bu): 10 ÷ 500 нм.

4. Диапазон значений высоты выступов в шаговых структурах меры (h): 100 ÷ 1400 нм.

5. Диапазон значений проекции боковой стенки выступа шаговой структуры меры на плоскость нижнего основания выступов шаговой структуры меры (a): 75 ÷ 980 нм.

Неравномерность ширины верхнего основания выступов в шаговых структурах меры δ (в пределах ширины линии ориентирования), не более: 5 нм.

Пределы допускаемых значений абсолютной погрешности определения размеров bu, h, δ, не более: ± 2 нм.

Предел допускаемых значений абсолютной погрешности определения размера a, не более: ± 1 нм.

Производитель: ОАО «НИЦПВ», Россия

26

СО параметров шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния

ГСО 10030-2011

Градуировка, поверка и калибровка просвечивающих электронных  микроскопов (ПЭМ), исследования и контроля метрологических характеристик ПЭМ при проведении их испытаний в целях утверждения типа.

Применяется в микро-, наноэлектронике, нанотехнологии, производстве полимеров и генной инженерии, создании наноструктурированных материалов, оснащении органов государственных и метрологических служб

Основные характеристики установки:

1. Диапазон допускаемых аттестованных значений шага шаговой структуры: 400÷2100 нм;

2. Границы допускаемых значений абсолютной погрешности шага шаговой структуры при Р=0,95: ±1;

3. Диапазон допускаемых аттестованных значений расстояния d111 между плоскостями (111) монокристаллического кремния в материале СО: 0,312÷0,315 нм;

2. Границы допускаемых значений абсолютной погрешности расстояния d111 между плоскостями (111) монокристаллического кремния в материале СО при Р=0,95: ± 0,0005.

Производитель: ОАО «НИЦПВ», Россия

 

 

 

 

Перечень научного оборудования стоимостью более 1 млн.руб.(включительно), закрепленного

за ЦКП за 2013 год и время его использования (загрузка)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N° п/п

Наименование единицы оборудования

Марка

Фирма-изготовитель

Страна

Год выпуска

Балансовая стоимость, (руб.)

Расчетное время работы оборудования (час)*

Фактическое время работы оборудования (час)

Наличие сертификата и других признаков метрологического обеспечения (+/-)

Всего:

в том числе в интересах третьих лиц

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

 1

Микроскоп электронный просвечивающий JEM-2100 с приставкой просвечивающей растровой электронной микроскопии для JEM-2100 и системой энергодисперсионного микроанализа для JEM-2100

JEM-2100 

JEOL 

Япония

2013 

41500000 

 1993

1795 

805

2

Микроскоп сканирующий зондовый Solver P47H

Solver P47H

ЗАО «НТ-МДТ»

Россия

2000

1315000

1993

1437

483

+

3

Дифрактометр рентгеновский D8 Discovery

D8 Discovery

Bruker AXS GmbH

Германия

2005

18277000

1993

1355

377

+

4

Микроспектрометр комбинационного рассеяния высокого разрешения MICRO-S-RAMAN

MICRO-S-RAMAN

Spectroscopy&

Imaging GmbH

Германия

2004

5767000

1993

1128

280

-

5

Система лазерная измерительная ЛИС-01М

ЛИС-01М

ЗАО «НТ-МДТ»

Россия

2004

5000000

 1993

1794

1702

+

6

Модуль оптической профилометрии

MicroXAM-100

MicroXAM-100

KLA-Tencor Corp.

США

2011

2049000

1993

898

197

-

7

Модуль трехкоординатного гетеродинного интерферометрического измерителя перемещений

 

НИЯУ МИФИ

Россия

2011

1129000

1993

762

293

-

8

Спектральный эллипсометрический комплекс «ЭЛЛИПС-1891М»

ЭЛЛИПС-1891М

ИФП РАН

Россия

2011

1048000

1993

885

277

-

9

Стенд для входного и  пооперационного контроля процесса изготовления  кристаллических рельефных наноструктур, включающий:

- микроскоп электронный растровый JSM 6460LM

- микроскоп электронный растровый S-4800

 

 

 

 

 

 

JSM 6460LM

S-4800 

ОАО «НИЦПВ» 

 Россия

2011 

 

 

 

 

 

 

24841000

 

37894000

1993

1285 

751

 +

10

Стенд измерительный для выходного контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур, включающий:

- нанотехнологический комплекс НТК-3

 

 

 

 

НТК-3

ОАО «НИЦПВ»

Россия

2012

 

 

 

 

15000000

1993

1244

281

+

11

Стенд измерительный для проведения предварительных испытаний кристаллических рельефных наноструктур, включающий:

- инфракрасный Фурье-спектрометр TENSOR 37;

- микроскоп сканирующий зондовый Ntegra Aura

 

 

 

 

 

TENSOR 37

 

Ntegra Aura

ОАО «НИЦПВ»

Россия

2013

 

 

 

 

 

 

7423000

 

6800000

 1993

1028

295

+

12

Стенд для метрологического контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур, включающий:

- микроскоп электронно- растровый JIB-4500

 

 

 

 

 

JIB-4500

ОАО «НИЦПВ»

Россия

2013

 

 

 

 

 

25424000

 1993

1749

867

+

ИТОГО

 193467000

 

 

 

 

 

 


Страничка находится на стадии разработки, приносим свои извинения за возможные сбои и неудобства
.